انواع روشهای رادیوگرافی دیجیتال
بطور کلی می توان کلیه تجهیزات تصویربرداری رادیوگرافی دیجیتال (اشعه ایکس ) را به دو دسته زیر تقسیم نمود :
1 – Indirect Digital Radiography رادیوگرافی دیجیتال غیر مستقیم
2 – رادیوگرافی دیجیتال مستقیم ( Direct Digital Radiography DDR) ، که فلت پنلهای سلنیومی Amorphous Selenium Flat Panel Detectors
رادیوگرافی دیجیتال مستقیم
از آنجا که در این فلت پنلها ، انرژی فوتونهای اشعه ایکس با عبور از بدن بیمار مستقیما به جریان الکتریکی تبدیل می شود ( در آنها نیازی به تبدبل اشعه ایکس به نور نیست ) به آشکارسازهای دیجیتال مستقیم موسومند .
لایه خارجی در این پنل ها از یک الکترود high voltage( دارای اختلاف پتانسیل در حدود 5000 ولت ) تشکیل شده تا علاوه بر افزایش سرعت جذب انرژی فوتونهای اشعه ایکس در سطح سلنیوم موجب شود بارهای ایجاد شده به طرف الکترودها جذب شوند .
این صفحات آشکارساز اشعه ایکس از میلیونها پیکسل ( میلیونها خازن کوچک و ترانزیستور متصل به آن ) تشکیل شده اند .
با تابش پرتو ایکس و جذب انرژی توسط الکترونهای لایه های بیرونی در اتم سلنیوم ، الکترونها از لایه خود جدا شده ، تحت اختلاف پتانسیل بالای بین الکترود High – Voltageو زمین الکتریکی بطرف قطب مثبت متمایل می شوند و جای آنها به اصطلاح حفره ایجاد می شود .
بیشتر بخوانید : رادیولوژی تشخیصی
اتم باردار شده نیز الکترون از دست داده را با جذب الکترونی از الکترود پیکسل ( صفحه مثبت خازن هر پیکسل )˛ جبران می کند در نتیجه با جمع شدن بارهای الکتریکی˛ خازن متناسب با شدت انرژی دریافت شده ( تعداد الکترونهای جدا شده از سلنیوم ) باردار می شود ، با آدرس دهی ترانزیستور مربوطه در لایه (TFT – Thin Film Transistor) و تقویت بار الکتریکی خازن و درنهایت تبدیل آن به معادل دودویی ˛ اجزای تصویر دیجیتالی تشکیل شده به کامپیوتر ارسال می شود .
- رادیوگرافی دیجیتال مستقیم
معمولا قبل از نمایش ˛بر روی این تصاویر پردازشی خاص نظیر تبدیلات لگاریتمی جهت تصحیح میرایی اشعه ایکس (میرایی اشعه ایکس بصورت نمایی می باشد ) و افزایش قابایت تشخیص سایه روشن (contrast enhancement) انجام می شود .
در برخی موارد نظیر فلورسکپی لازم است آشکارساز از حساسیت بالایی برخوردار باشد و از آنجا که ضریب جذب در لایه سلنیوم با افزایش ضخامت ˛ بیشتر می شود ( ضریب جذب ضخامت 1020umدر حدود 1.4 برابر لایه ای به ضخامت510umمی باشد ) .
معمولا ضخامت لایه سلنیوم را در این دتکتورها 1000umدرنظر میگیرند سلنیوم دارای محدودیتی جهت جذب انرژی فوتونهای اشعه ایکس می باشد که نمیتوان از آن در ولتاژهای اکسپوز بالاتر از 100 – 150Kvاستفاده نمود زیرا در آن صورت نیاز به ضخامت بسیار بالایی از سلنیوم و های ولتاژ بالاتری در لایه خارجی خواهیم داشت .
از دیگر موادی که جهت ساخت فلت پنل های اشعه ایکس تحت بررسی می باشند میتوان CdTe، HgI2و PbI2را ذکر نمود در طراحی فلت پنلهای دریافت کننده تصاویر ˛
سایز پیکسلها که معمولا 100 – 200umمی باشد و سطحی که پیکسلها در آن چیده شده اند بیشترین تاثیر را در کیفیت تصاویر ثبت شده دارند ˛ فوتوکپی ، فکس و پرینترهای لیزری از دیگر دستگاههایی هستند که در آنها سلنیوم بکار رفته است .